金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率器件的终端版图结构”的专利，公开号 CN 119743989 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件的终端版图结构，其主要包括用于刻蚀沟槽的长条形状的沟槽版，终端区域由三个沟槽版所围成，源极多晶硅刻蚀版和沟槽侧壁氧化层刻蚀版所覆盖的区域为器件的有源区，源极金属和沟槽版上方的接触孔相连，作为源极多晶硅引出区域；栅极金属和沟槽版上方的接触孔相连，作为栅极多晶硅引出区域。所述沟槽版末端进行间隔圆弧相连，且被围起来的所述沟槽版末端进行倒角处理，保证沟槽版两两之间始终等间距分布在完全兼容现有工艺的基础上优化了终端区域的电荷平衡效果，可以避免电场电流发生集中，有效提高了功率器件的一致性和可靠性。
天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12926.1111万人民币，实缴资本12901.2876万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息147条，此外企业还拥有行政许可6个。
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